4.5.Конфигурирование основной памяти

Auto Configuration

- опция автоматического конфигурирования параметров доступа к основной памяти. Опция обычно находится в разделах "Advanced Chipset Setup" или "Chipset Features Setup" и позволяет настроить время доступа к модулям памяти в автоматическом режиме либо в "ручном" режиме и в соответствии со спецификациями применяемых модулей памяти. Чтобы выйти на режим пользовательской настройки, достаточно установить параметр в "Disabled". Значение "Auto" (автоматическая конфигурация) устанавливается по умолчанию. Среди возможных фиксированных значений обычно встречаются значения "60 ns" и "70 ns" для модулей памяти с соответствующим быстродействием в наносекундах.
Опция может называться также "DRAM Auto Configuration" или "Auto Configure EDO DRAM Tim" ("tim" - это timing). В последней опции параметр "Enabled" заменил "Auto", в остальном отличий нет.
Значительно большие различия оказываются в том случае, когда под опцией "Auto Configuration" "скрывается" настройка параметров доброй половины соответствующего раздела "BIOS Setup". Тогда автоматически конфигурируются параметры кэш-памяти, основной памяти, регенерации и даже скорость ISA-шины. Практически все они будут нами изучены.

Bank nn DRAM Type

- этой устаревшей опцией (еще для AT-286) устанавливался объем модулей памяти, собранных в банки с номерами nn. Значение параметра выбиралось из ряда: "64K", "256K", "1M".

Bank nn Numer of Banks

- этой также устаревшей опцией (для AT-286) устанавливалось количество заполненных банков из банков nn. Значение параметра выбиралось из ряда: "0", "1", "2".

Base Memory Size

- эта опция-ветеран "AMI BIOS" содержит параметры по установке размера основной системной памяти: "512KB", "640KB" (по умолчанию). Правда, "Phoenix BIOS" также содержал такую опцию.

CAS# Latency

- (задержка CAS - CL). Важнейшая характеристика чипа памяти, определяющая минимальное количество циклов тактового сигнала от момента запроса данных сигналом CAS до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля памяти. Возможные значения параметров: 2, 3 или в тактах - 2T, 3T (3 Clks). Значение в 3 такта устанавливается по умолчанию. Уменьшение параметра нужно осуществлять крайне осторожно.
Другое название опции - "CAS# Latency Clocks".
Давно это было, но сказанное об "ожидании CAS" и тогда было верно. Об этом свидетельствуют перечисленные ниже опции: "CAS Width in Read Cycle", "CAS-to-Read Delay", "DRAM CAS Timing Delay", "CAS Output Delay". Столь важная характеристика памяти сохранила свою "важность" и с внедрением памяти типа SDRAM, а опция стала называться "SDRAM CAS# Latency" (или реже "SDRAM CAS Latency Time").
Отметим, что меньшее значение увеличивает производительность системы (установка в 2 такта в сравнении с 3-мя ускоряет систему на 1-2%). Рекомендуется устанавливать меньшее значение для SDRAM с быстродействием 10 нс или лучше.

CAS# Pulse Width

- большим разнообразием значений данная опция, в отличие от "RAS# Pulse Width", не отличается. Ею устанавливается период активности сигнала CAS (в системных тактах). Стандартный набор значений параметра: 1T, 2T.
В большинстве случаев версия BIOS могла предложить раздельную установку параметров как для режима записи, так и для чтения из памяти. Тогда опций могло быть две, например, "Write CAS# Pulse Width" и "Read CAS# Pulse Width". Опция могла быть представлена в интегрированном виде - "EDO CAS Pulse Width R/W", со следующими значениями: "1T/1T", "1T/2T", "2T/2T".
Вот еще пара примеров наименований опции, мало чем отличающихся друг от друга: "FPM DRAM Write Pulse Width", "FPM CAS# Pulse Width", "CAS# Write Pulse Width", "DRAM Write CAS Width".
Те же самые опции могут неожиданно предложить более солидный ряд значений: 2T, 3T, 4T, 5T. Вот еще один пример подобной реализации - "FPM/EDO Read Pulse Width": "1T/2T", "2T/1T", "3T/2T", "4T/3T".
Ну и напоследок еще одна опция, "Post Write CAS Active", с помощью которой устанавливалось время активности CAS- сигнала для циклов записи в память со стороны "мастер"-устройства на PCI-шине.

CPU to DRAM Page Mode

- когда опция установлена в "Disabled", контроллер памяти закрывает страницу памяти после доступа к ней. При этом очищается т.н. page open register. Когда опция включена (по умолчанию), страница памяти остается открытой на случай повторного обращения к ней, т.е. при отсутствии запроса к ней. Такой режим работы памяти более производителен.
Этот же смысл характерен для множества функций с подобными наименованиями: "DRAM Page Mode", "DRAM Paging", "DRAM Paging Mode", "DRAM Page Open Policy", "SDRAM Page Control".
Так же широк и выбор возможных значений параметров. В различных версиях BIOS можно даже найти опции с одинаковыми названиями, но различными значениями параметров. Например, "CPU to DRAM Page Mode" может предоставить для выбора значения "Use Paging" и "No Paging". Возможны и следующие вариации значений параметров:
"Always Open" и "Closes",
"Page Closes", "Stays Open" и "Closes If Idle",
"Normal" и "Disabled".
И еще пара опций: "DRAM Page Closing Policy" со значениями "Closed", "Open" и "Page Open Policy" со значениями "Close Page", "Hold Open".
В некоторых случаях усовершенствованный (enhanced) механизм работы чипсета и контроллера памяти позволяет с помощью дополнительной информации об открытой странице памяти сохранять ее некоторое время открытой даже при отключенной опции: "DRAM Enhanced Paging", "Enhanced Page Mode", "Enhanced Paging".

DDR_1T/2T_Item

- столь необычный вид опции для настройки параметров современной DDR SDRAM-памяти не должен удивлять подготовленного пользователя. Речь идет об ускорении обмена с памятью (уменьшается на один такт время переадресации DDR) либо сохраняется более "медленный" обмен, устанавливаемый по умолчанию. Значений опции всего два: "1T CMD" и "2T CMD". Возможностей для экспериментирования немного, но его можно осуществить более основательно.

DRAM Clock

- опция установки тактовой частоты для работы модулей памяти. Имеет смысл дополнительно еще раз просмотреть подраздел "CPU Speed". Значения данной опции предлагаются следующие: "Host CLK" (по умолчанию) и "66 MHz". Согласно первому параметру тактовая частота модулей памяти устанавливается равной тактовой частоте системной шины, другое значение устанавливается как фиксированное.
Попробуем разъяснить эти значения. Производимые к 98-му году модули SDRAM предназначались для работы на частоте 66 МГц. Появившийся в первой половине 98-го чипсет i440BX представил системную шину с частотой 100 МГц. Уже до этого было практикой показано, что чипы SDRAM могли устойчиво работать на частотах более 66 МГц, а некоторые модули вполне успешно работали и работают на частоте 100 МГц. Отсюда и возможное использование значения "Host CLK", тем более, если речь идет о поддержке частот 75 или 83 МГц.
Опция может называться и "DRAM Speed" (см. ниже), а значения могут быть "Host CLK" и "AGP CLK".

DRAM Interleave Mode

- опция установки разрешения/запрещения режима "чередования" банков памяти, а также возможного выбора банков памяти, подлежащих "чередованию". Значения данной опции выглядят следующим образом: "No Interleave", "Banks 0+1", "Banks 2+3", "Both". Включение опции или установка оптимального режима "чередования" позволяет оптимизировать процессы регенерации памяти и доступа к ней, а значит и повысить производительность памяти. Несколько подробнее об этом чуть ниже.
Опция "SDRAM Bank Interleave" предложила два варианта возможных значений. Первый - стандартные "Disabled" и "Enabled", а второй - "Disabled", "2 Bank", "4 Bank". Во втором случае выбор банка возможен только для 64-мегабитных модулей. Если в системе применяются 16-мегабитные модули interleave должен быть заблокирован.
Опция может называться "Interleave Mode" или "Bank Interleave", но главное, что для включения опции требуется заполнение хотя бы двух банков памяти.
Если же остановиться на выборе оптимального значения из такого ряда: "None", "2 Banks", "4 Banks", "Auto", то прежде всего надо отметить недопустимость отключения опции: заметное снижение производительности гарантировано. Запрещение допустимо разве что в случаях появления сбоев в системе. Выбор значения "4 Banks" нежелателен для односторонних ("Single-Sided") модулей. Поэтому оптимальными являются значения "Auto" или "2 Banks".

Interleave ("чередование") - способ ускорения работы подсистемы памяти, основанный на предположении, что доступ происходит к последовательным адресам памяти. Этот метод реализуется аппаратно на уровне контроллера и требует организации банка памяти таким образом, что суммарная ширина шины модулей превосходит ширину системной шины в k раз (это число называется коэффициентом interleave и является степенью двойки). Таким образом, каждый банк состоит из k "нормальных" банков. Контроллер распределяет "нормальное" адресное пространство подсистемы так, что каждый из k последовательных адресов физически находится в разном банке. Обращение к банкам организовано со сдвигом по фазе (стоит напомнить, что отдельный цикл обращения может требовать 5 тактов шины и более). В результате при последовательном обращении к данным за один обычный цикл обращения можно получить до k обращений в режиме interleave. Реальный выигрыш, разумеется, меньше. Кроме того, interleave заметно увеличивает минимальный размер банка (как в числе модулей, так и в емкости). В SDRAM interleave реализован на уровне чипа.

DRAM Page Idle Timer

- (таймер пассивного состояния страницы памяти). С помощью этой функции устанавливается время (в системных тактах), в течение которого контроллер DRAM, после перехода процессора в режим ожидания, ждет закрытия всех открытых страниц памяти. Параметр сохранил свою актуальность со времен FPM. Для увеличения быстродействия устанавливается минимальное значение данного параметра, однако при этом возможна нестабильная работа системы. Оптимальный вариант устанавливается опытным путем. Опция может называться "Paging Delay", "DRAM Idle Timer", а возможные значения выбираются из ряда: 1T, 2T, 4T, 8T. Правда, иногда такой ряд может иметь следующий вид: 0, 2, 4, 8, 10, 12, 16, 32.
Последний вариант используется для работы со страницами памяти в системах с EDO- и SDRAM-памятью. Установленные параметры "запоминаются" в 4-разрядном регистре DIT (DRAM Idle Timer). Появление "1" в старшем разряде ("Infinite" - бесконечность) ведет к сохранению открытого состояния страниц памяти. Примеры этому изложены чуть выше.

DRAM Prefetch Buffer

- (буфер предвыборки памяти). Чипсет может содержать (в составе "северного" моста) буфер "предвыборки", предназначенный для временного хранения инструкций чтения. Режим "предвыборки", наверное, уже достаточно хорошо понят читателем, к тому же далее будут рассмотрены дополнительные опции на эту тему (см. обязательно опцию "Read Prefetch Memory RD"). Опция может принимать значения:
"Enabled" - буфер включен,
"Disabled" - буфер не используется.

DRAM Prefetch Buffer Size

- (размер буфера предвыборки чтения). Понятно, что данная опция позволяет установить размер уже известного нам буфера. Но в каких единицах? Данный буфер представляет собой небольшой "конвейер", в котором инструкции чтения перемещаются "от входа к выходу", с более дальнего уровня к ближнему. Поэтому в данной опции устанавливается глубина такого конвейера, поэтому и размер буфера вычисляется не в байтах, а в уровнях, о чем и свидетельствуют применяемые значения опции: "1-level", "4-level".
Опция может называться "Read Prefetch Buffer Size".

DRAM Prefetch Delay

- (задержка предвыборки чтения). Опция позволяет оптимизировать процесс "предвыборки" чтения путем выбора задержки (в системных тактах). Данная задержка предназначена не для центрального процессора, задержка используется контроллером памяти при выдаче команды чтения. Тем не менее, даже наличие задержки при применении режима "предвыборки" чтения сохраняет эффективность режима в сравнении со стандартными процедурами чтения. Понятно, что меньшее значение ускоряет процесс чтения и повышает эффективность работы памяти. Опция может принимать значения: "2T", "3T".

DRAM Speculative Leadoff

- (DRAM опережающее чтение). При включении этой опции контроллер памяти может начать выполнять операцию чтения до того, как полностью будет декодирован адрес, по которому находятся требуемые данные. Процесс начинается с того, что процессор инициирует сигнал чтения одновременно с генерацией необходимого адреса, а контроллер памяти (при разрешении параметра Speculative Leadoff) выдает команду чтения до полной расшифровки адреса. Включение этого режима позволяет повысить общую производительность системы на несколько % при снижении общих затрат времени на операцию чтения (за счет уменьшения задержек операции чтения). Может принимать значения:
"Enabled" - разрешено,
"Disabled" - запрещено (устанавливается по умолчанию, т.к. функцию должны поддерживать прежде всего системные компоненты, а это происходит не всегда).
Опция может называться "Speculative Leadoff", "SDRAM Speculative Read", "Speculative Lead Off".

DRAM Speed Selection

- опция установки конечно же не скорости применяемой в системе DRAM-памяти, а времени доступа к ней. Как правило, не рекомендуется менять значения, устанавливаемые по умолчанию. При установке значений надо помнить, что установка меньших параметров хотя и повысит быстродействие системы, но может привести и к полной нестабильности ее работы, потери данных. Кроме того, если установлены банки памяти с разной скоростью доступа, то необходимо устанавливать значение, соответствующее наиболее медленной памяти. Однозначный вывод: к изменению "скорости" надо относиться осторожно. Возможные значения: "50 ns", "60 ns", "70 ns". Вполне могут быть и другие значения.
Опция может называться "EDO DRAM Speed Selection", "EDO DRAM Speed (ns)", "DRAM Speed".

DRAM Type

- с помощью этой опции устанавливается тип инсталлированной памяти. Возможные значения: "Page Mode Std", "FPM", "EDO", "BEDO", "SDRAM".

EMS

- разрешение/запрещение аппаратной поддержки центральным процессором расширенной (отображаемой) памяти, или как говорят, EMS-памяти (Expanded Memory Specification). Значения опции были стандартны: "Disabled" и "Enabled". Опция предназначалась для систем на 286-х процессорах.

EMS Memory Base Address

- данной опцией устанавливался базовый адрес окна EMS в основной памяти. Возможные значения: "C0000h", "C4000" и т.д., включая "E0000h". Знакомые значения! Устаревшая опция.

EMS Page Reg I/O Base

- данной опцией устанавливался базовый адрес портов ввода/вывода (регистров процессора) для отображения страниц EMS. Предлагался для выбора целый ряд возможных значений: "208h", "218h", "258h" и т.д., до "2E8h". Также устаревшая опция.

EMS Page(n) Addr Extension

- опция позволяет расширить объем отображаемой памяти для страницы n. Возможные значения имели следующий вид: "0 to 2 Mb", "2 to 4 Mb" и т.д.

Fast MA to RAS# Delay

- (задержка между RAS- и MA-стробами). Опция, очень схожая с функцией "RAS# to CAS# Delay". Поэтому имеет смысл вначале внимательно изучить последнюю. Действие же данной опции еще более критично по отношению к пользовательским регулировкам, поскольку речь идет о задержке между RAS-стробом и сигналом MA (Memory Adress), согласно которому данные считываются из памяти. Это уже несколько устаревшая опция, предназначенная для работы с FPM DRAM. Значения, устанавливаемые по умолчанию, рекомендовалось изменять только в случае замены чипов памяти или замены процессора. Значения же были стандартны: "Disabled" и "Enabled".
Опция могла называться и "Fast MA to RAS# Delay CLK". Тогда для выбора могли быть предложены значения в системных тактах, аналогично как и для "RAS# to CAS# Delay".

MA Wait State

- (такты ожидания чтения памяти). Параметр позволяет установить или снять дополнительный такт ожидания перед началом чтения памяти. Для памяти типа EDO один такт всегда уже есть по умолчанию и установка значения "Slow" добавит еще один такт ожидания. Для SDRAM-памяти нет такого такта ожидания по умолчанию и установка в "Slow" один такой такт вводит. Лучше не изменять установленное по умолчанию значение данного параметра. Выбор значения "Fast" требует дополнительной опытной проверки, тем более в случае возникновения сообщений об ошибках адресации памяти. Может принимать значения:
"Slow" (по умолчанию) - добавляется один такт,
"Fast" - нет дополнительного такта ожидания.
Еще одно название опции - "MA Additional Wait State". В названии содержится то, о чем идет речь. А возможные значения обычны: "Enabled" и "Disabled". В некоторых случаях параметры могут быть представлены и в виде тактов: "0 ws", "1 ws".

OS Select for DRAM > 64Mb

- параметры этой опции косвенно (или прямо) отвечают за указание операционной системы, установленной на ПК. Дело в том, что методы работы с памятью (управления памятью) объемом более 64 МБ у операционной системы IBM "OS/2" отличны от других операционных систем. Поэтому необходимо правильно указывать операционную систему, хотя выбор соответствующего значения невелик: "OS/2" или "Non-OS/2". Правда, необходимо учитывать фактор "древности" OS/2. Если инсталлирована в системе "OS/2 Warp v3.0" или выше данные "сложности" можно игнорировать.
Опция может называться "OS/2 Onboard Memory > 64MB" или "OS/2 Compatible Mode" с обычными "Enabled" и "Disabled".
"AMI BIOS" также содержит аналогичную опцию с названием "Boot To OS/2" с параметрами "Yes" и "No".

RAMW# Timing

- в наименовании опции содержится несколько нестандартное, но прижившееся в литературе и разных версиях BIOS название сигнала "Memory Write Enable". Опять таки можно встретить сокращенное название сигнала и как "MWE", и как "WE". При любой вариации этот сигнал означает запись данных в ячейки памяти. Данная же опция отвечает за установку длительности этого сигнала. Уменьшая возможное значение параметра, можно достичь наиболее оптимального режима работы памяти, но нельзя забывать и о надежности системы.
Возможных вариаций данной опции не очень много: "FPM/EDO RAMW# Timing", "RAMW# Assertion Timing". Более разнообразны значения параметров: 2T, 3T или, например, "Normal" и "Fast". Опция может предложить и такую пару значений: "Normal" и "Faster", причем последнее соответствует одному системному такту.

RAS# Pulse Width

- данной опцией устанавливается фактически длительность сигнала RAS, т.е. время его активности в системных тактах. Дополнительно имеет смысл посмотреть опцию "Refresh RAS# Assertion" в разделе "Refresh".
Обзор различных вариантов, наименований начнем с нестандартной опции "RAS Minimum Active", предлагавшей ряд значений от "4T" до "7T". Это довольно давний вариант и с элементами надежности системы. Затем появилась опция "RAS Active Time" с небольшим рядом: 4T, 5T, 6T. Внедрение FPM-модулей ("FPM DRAM RAS# Pulse Width") дало новый вариант: 3T, 4T, 5T, 6T. Уменьшение времени нахождения сигнала RAS в активном состоянии конечно же повышает быстродействие системы. Но в данном случае, как и во многих других, должно действовать "золотое" правило: "Ускоряя, не ухудшай!"
Те же значения имела опция "RAS# Pulse Width" для EDO-памяти. А вот опция "EDO/SDRAM RAS# Pulse Width" предложила почти окончательный вариант: "5T/4T", "6T/5T", "7T/6T", "8T/7T".

RAS# to CAS# Delay

- (задержка между RAS- и CAS-стробами). Во время доступа к памяти обращения к строкам и столбцам выполняются отдельно друг от друга. Этот параметр и определяет временной сдвиг между этими сигналами. Эта задержка необходима для того, чтобы чип памяти имел достаточно времени для однозначного определения адреса строки ячейки памяти, который выставляется по сигналу RAS (Row Address Strobe), и адреса столбца, выставляемого по сигналу CAS (Column Address Strobe).
В некоторых случаях опция предлагает через стандартные "Enabled" и "Disabled" соответственно установку/снятие паузы между RAS- и CAS-строб-импульсами, используемыми, когда в DRAM происходят операции чтения/записи или обновления содержимого памяти. Значение "Disabled" (отключено) устанавливается для более высокого быстродействия, а значение "Enabled" - для более стабильной работы системы. В большинстве версий BIOS применяется установка длительности задержки в циклах тактового сигнала, что естественно дает пользователю большую гибкость в процессе оптимизации работы памяти. В этом случае меньшее значение, конечно же, улучшает скоростные характеристики, но повышает вероятность нестабильной работы системы. Попросту считывание информации об адресе строки или столбца может происходить с ошибкой. В любом случае оптимальные параметры проверяются путем опытной эксплуатации, поскольку не все чипы памяти смогут "вытянуть" минимальные значения задержек. Как правило, по умолчанию устанавливается большее значение времени задержки.
Различные версии BIOS предлагают и разные варианты установки задержки в системных тактах. Это могут быть "2T" и "3T" (или "3 Clks", или "3 Clocks"). В других случаях может быть предложен целый ряд значений: 0T, 1T, 2T, 3T. Если же обобщить все возможные вариации (прежде всего это связано с типом памяти), то параметр меняется от 0T до 5T.
Ну а если пользователь встретится со следующим предложением: "Fast" и "Slow", - то это уже не должно вызвать проблемы. Тем более, что опция может носить название "Fast RAS# to CAS# Delay", и для такого варианта значение "Enabled" означает более скоростной режим работы памяти. Правда, эта же опция предложила и стандартные значения: "3" (BIOS & Setup defaults) и "2".
В обозначение функции вынесено самое простейшее из возможных наименований важнейшей характеристики чипов памяти. В данном случае эта характеристика не "привязана" к какому-то типу памяти. Но ее смысл и важность актуальны со времен простейшей FPM DRAM, о чем и свидетельствуют многочисленные названия функции: "RAS# to CAS# Address Delay", "RAS to CAS Delay Time", "DRAM RAS-to-CAS Delay Timing", "RAS to CAS Delay Timing", "DRAM RAS to CAS Delay", "FPM/EDO RAS-to-CAS Delay", "EDO RAS to CAS Delay", "SDRAM RAS# to CAS#", "SDRAM RAS# to CAS# Delay".
Естественно, что действие перечисленных функций возможно, если в системе и установлена соответствующая названию память. Особого разъяснения в данном случае не требуется. С другой стороны, использование данных опций возможно, если в системе инсталлирована синхронная память.
Еще небольшой комментарий. "Обычная себе" опция "SDRAM RAS# to CAS# Delay" может предложить для выбора значения "Same as FPM" и "1T". В таком виде опция встречается крайне редко, причем предлагаются, по сути, крайние варианты. Установка в "1T" автоматически может привести к сбойной работе, а установка задержки, "такой же, как для FPM", означает, что чипы SDRAM- памяти смогут автоматически регулировать важнейший параметр?
Ну и напоследок к перечисленным уже функциям необходимо добавить еще парочку "стареньких", дабы картина была более полной: "RAS To Address Delay", "FPM DRAM Addr To CAS Delay". К перечисленным выше значениям необходимо добавить еще значение "Auto", что и рекомендуется в большинстве случаев.

Read-Around-Write

- опция включения ("Enabled") оптимизационных возможностей памяти. Этот метод оптимизации памяти заключается в том, что, если операция чтения памяти адресована в область памяти, данные из которой еще находятся в промежуточном буфере после начала цикла записи, то чтение требуемых данных происходит не из DRAM, а из буфера напрямую. Конечно же, речь идет о данных той части памяти, которые представляет собой последнюю запись и в данный момент еще находятся в буфере, который так и называется - "Read-Around-Write buffer".
Назначение буфера понятно. Данные в нем аккумулируются (накапливаются), а затем записываются в память уже в виде блока (пакета). Окончание цикла записи может быть прервано командой чтения, и поэтому иногда говорят об изменении последовательности команд. Фактически можно сказать, что операция записи еще не закончена, как начат цикл чтения из памяти. В итоге имеем своеобразное кэширование! Несомненно это повышает общую производительность системы. Максимальный же эффект от применения данной опции может быть достигнут в мультипроцессорных системах, в которых несколько процессоров могут раздельно обращаться к общим данным без прямого доступа к памяти.
Но эта опция должна быть отключена, если в системе используются AGP-карты, построенные, например, на интегрированных графических чипсетах i740. Есть еще один момент, и он связан с функционированием памяти типа DDR SDRAM. Например, системные платы, построенные на чипсете VIA KT266A, поддерживающем такую память, не показали увеличения производительности при включении описываемой опции. Так что, ожидаемый эффект может отсутствовать.
Также стоит отметить еще такой нюанс. В компьютерной периодике можно встретить информацию о том, что данная опция характерна для современных систем с новейшими версиями BIOS. Полнейшая нелепица! Достаточно вспомнить системы на наборах логики от "VIA Technologies" (Apollo VP3, Apollo Pro) и др., где такие опции были замечены.
Опция может называться "DRAM Read-Around-Write".
Опция может носить название и "Extended Read-Around-Write". Эта опция характерна для серверных систем, например, на чипсетах i450GX (кстати, конец 95-го г.). Компоненты интерфейса памяти позволяют использовать расширенный механизм "read-around-write", при котором циклы записи вообще могут быть пропущены при циклах чтения, если их адреса не совпадают. В тех же серверных системах (например, на чипсете i450NX) возможно появление опции "Write-around-retried-Read".

Read Prefetch Memory RD

- в наименовании опции фигурирует название линии RD ("Ready Data"). А речь идет о том, что пока идет выполнение предыдущей инструкции по чтению данных (т.е. цикл чтения не завершен), чипсет инициирует следующий цикл чтения (режим "предвыборки").

SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS)

- (задержка CAS/от RAS к CAS). Это интегрированный параметр, позволяющий комбинировать, точнее даже манипулировать двумя параметрами: "CAS Latency" и "RAS-to-CAS Delay". Устанавливаемое значение этого параметра зависит от характеристик применямой SDRAM, от быстродействия процессора. Параметр (или функция) весьма неудобен, поскольку возможности настройки предельно ограничены. Изменять этот параметр необходимо крайне осторожно. Может принимать значения: "2/2", "3/3".
Дополнительно отметим, что параметры "CAS Latency" и "RAS-to-CAS Delay" определяются архитектурой самого чипа памяти и в качестве характеристик приводятся для определенной частоты. Для современной SDRAM-памяти PC100 их значения, как правило, равны 2 или 3 тактам.

SDRAM Configuration

- (конфигурация SDRAM-памяти). Установкой параметров опции определяется, должен ли BIOS определять временные характеристики доступа к памяти на основании информации из SPD-модуля ("By SPD") или же пользователь проведет конфигурирование доступа самостоятельно (через установку "Disabled"). Нетрудно увидеть схожесть данной опции с "Auto Configuration". В качестве фиксированных значений могут быть предложены параметры: "7 ns (143 Mhz)" и "8 ns (125 Mhz)" как для памяти с временем доступа 7 нс/8 нс и соответственно частотой шины 143 МГц/125 МГц.

SDRAM Precharge Control

- (управление предварительным зарядом SDRAM). Данная опция определяет, чем управляется предзаряд SDRAM - центральным процессором или самой SDRAM-памятью. Если эта опция отключена ("Disabled"), то все циклы процессора к SDRAM завершаются командой "All Banks Precharge" в интерфейсе SDRAM-памяти, что улучшает стабильность, но понижает производительность памяти. Если же эта опция включена ("Enabled"), то предварительный заряд контролируется чипами памяти. Это уменьшает количество предзарядов SDRAM, значительно возрастает число циклов CPU-to-SDRAM до того момента, когда требуется регенерация памяти. Это однозначно ведет к повышению общей производительности системы, но может влиять на ее стабильность.