Конфигурирование основной памяти

Auto Configuration

Опция автоматического конфигурирования параметров доступа к основной памяти. Обычно находится в разделах "Advanced Chipset Setup" или "Chipset Features Setup" и позволяет настроить время доступа к модулям памяти в автоматическом режиме либо вручную, в соответствии со спецификациями модулей памяти. Для перехода в пользовательскую настройку установите параметр в "Disabled". По умолчанию значение "Auto" (автоматическая конфигурация) активировано. Среди фиксированных значений чаще всего встречаются "60 ns" и "70 ns" для модулей с соответствующим быстродействием в наносекундах. Опция может называться "DRAM Auto Configuration" или "Auto Configure EDO DRAM Tim" (tim - это timing). В некоторых версиях BIOS параметр "Enabled" заменяет "Auto", но функционально это те же настройки. Иногда под опцией "Auto Configuration" скрываются параметры кэш-памяти, основной памяти, регенерации и даже скорости ISA-шины, что позволяет конфигурировать их автоматически. Практически все эти параметры будут рассмотрены далее.

Bank nn DRAM Type

Устаревшая опция, использовавшаяся для установки объема модулей памяти в банках nn. Применялась для AT-286 и включала значения: "64K", "256K", "1M".

Bank nn Number of Banks

Еще одна устаревшая опция для AT-286, устанавливающая количество заполненных банков памяти. Значения параметра: "0", "1", "2".

Base Memory Size

Опция, присутствующая в "AMI BIOS" и "Phoenix BIOS", регулирует размер основной системной памяти, например, "512KB" или "640KB" (значение по умолчанию).

CAS# Latency

Опция CAS# Latency (задержка CAS - CL) определяет минимальное количество тактовых циклов от момента запроса данных сигналом CAS до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля памяти. Возможные значения: 2, 3 или в тактах - 2T, 3T (3 Clks), с 3 тактами по умолчанию. Уменьшение параметра нужно осуществлять осторожно. Альтернативное название - "CAS# Latency Clocks". Для памяти SDRAM опция получила название "SDRAM CAS# Latency" или "SDRAM CAS Latency Time". Меньшее значение (например, 2 такта вместо 3) может повысить производительность на 1-2%, особенно для модулей SDRAM с быстродействием 10 нс или выше.

CAS# Pulse Width

Опция CAS# Pulse Width регулирует период активности сигнала CAS в тактах системы, предлагая стандартные значения: 1T, 2T. В некоторых версиях BIOS параметры настраиваются отдельно для режима записи и чтения, с опциями "Write CAS# Pulse Width" и "Read CAS# Pulse Width". Возможно, также интегрированная настройка "EDO CAS Pulse Width R/W" с вариантами: "1T/1T", "1T/2T", "2T/2T". Опции могут расширяться до значений: 2T, 3T, 4T, 5T, включая "FPM/EDO Read Pulse Width" с вариантами "1T/2T", "2T/1T", "3T/2T", "4T/3T". Другая настройка - "Post Write CAS Active" - задает время активности CAS-сигнала для циклов записи от устройства-мастера на PCI-шине.

CPU to DRAM Page Mode

Когда опция установлена в "Disabled", контроллер памяти закрывает страницу памяти после доступа к ней, очищая так называемый page open register. При включенной опции (по умолчанию), страница остается открытой для возможного повторного обращения, что повышает производительность. Параметры схожего смысла имеют названия "DRAM Page Mode", "DRAM Paging", "DRAM Paging Mode", "DRAM Page Open Policy" и "SDRAM Page Control".

В разных версиях BIOS можно встретить одинаковые названия с разными значениями параметров. Например, для "CPU to DRAM Page Mode" доступны значения "Use Paging" и "No Paging". Вариации параметров включают: "Always Open" и "Closes", "Page Closes", "Stays Open" и "Closes If Idle", "Normal" и "Disabled".

Другие опции: "DRAM Page Closing Policy" со значениями "Closed" и "Open", а также "Page Open Policy" с "Close Page" и "Hold Open". Иногда усовершенствованный чипсет и контроллер памяти могут сохранить страницу открытой даже при отключенной опции, используя такие параметры как "DRAM Enhanced Paging", "Enhanced Page Mode" и "Enhanced Paging".

DDR_1T/2T_Item

Эта опция позволяет настроить параметры для DDR SDRAM, предлагая выбор между ускоренным обменом данными (уменьшение времени переадресации DDR на один такт) и более медленным обменом, установленным по умолчанию. Доступные значения: "1T CMD" и "2T CMD". Несмотря на ограниченные возможности, можно провести дополнительные эксперименты с настройками.

DRAM Clock

Опция задает тактовую частоту для модулей памяти и имеет смысл рассмотреть также подраздел "CPU Speed". Доступные значения: "Host CLK" (по умолчанию) и "66 MHz". В первом случае частота памяти равна частоте системной шины, а во втором - фиксирована.

Для пояснения: модули SDRAM, производимые до 1998 года, были рассчитаны на 66 МГц, однако чипсет i440BX, представленный в 1998 году, поддерживал частоту 100 МГц. Многие модули SDRAM стабильно работали на более высоких частотах, включая 100 МГц, что позволяет использовать параметр "Host CLK", особенно для частот 75 и 83 МГц.

В некоторых BIOS эта опция называется "DRAM Speed", с возможными значениями "Host CLK" и "AGP CLK".

DRAM Interleave Mode

Опция установки режима "чередования" банков памяти и выбора банков, подлежащих чередованию. Варианты значений: "No Interleave", "Banks 0+1", "Banks 2+3", "Both". Включение этой опции оптимизирует регенерацию и доступ к памяти, повышая её производительность. Варианты значений для SDRAM Bank Interleave: "Disabled", "Enabled", а также "2 Bank", "4 Bank" (для 64-мегабитных модулей). Для 16-мегабитных модулей interleave следует отключить. Опция также может называться "Interleave Mode" или "Bank Interleave". Чтобы её активировать, нужно заполнить как минимум два банка памяти. Для оптимального значения обычно выбирают "Auto" или "2 Banks", чтобы избежать падения производительности.

Interleave (чередование) — способ повышения производительности памяти при обращении к последовательным адресам. Реализуется на уровне контроллера, требует ширины шины памяти, превышающей ширину системной шины в k раз. Контроллер делит адресное пространство так, что каждый из k последовательных адресов попадает в разные банки, организованные со сдвигом по фазе. В SDRAM interleave реализован на уровне чипа.

DRAM Page Idle Timer

Таймер пассивного состояния страницы памяти. Эта функция устанавливает время (в тактах), в течение которого контроллер DRAM ждет закрытия всех открытых страниц памяти после перехода процессора в режим ожидания. Параметр сохраняет актуальность с эпохи FPM. Минимальное значение увеличивает скорость, но может снижать стабильность системы. Опция может называться "Paging Delay", "DRAM Idle Timer", с возможными значениями 1T, 2T, 4T, 8T, а иногда 0, 2, 4, 8, 10, 12, 16, 32 для EDO и SDRAM. Установленные параметры записываются в 4-разрядный регистр DIT (DRAM Idle Timer), где "1" в старшем разряде указывает на "бесконечность".

DRAM Prefetch Buffer

Буфер предвыборки памяти. Чипсет может иметь буфер в "северном мосту", временно хранящий инструкции чтения. Предвыборка позволяет заранее выбирать данные, ускоряя работу. Дополнительные опции предвыборки, такие как "Read Prefetch Memory RD", рассмотрены далее. Варианты значений: "Enabled" - буфер включен, "Disabled" - буфер отключен.

DRAM Prefetch Buffer Size

Размер буфера предвыборки чтения. Устанавливает глубину конвейера предвыборки инструкций чтения, измеряемую не в байтах, а в уровнях. Варианты значений: "1-level", "4-level". Опция также может называться "Read Prefetch Buffer Size".

DRAM Prefetch Delay

Задержка предвыборки чтения. Эта опция оптимизирует процесс предвыборки чтения, задавая задержку в системных тактах. Задержка используется контроллером памяти, ускоряя чтение по сравнению со стандартным режимом. Меньшее значение повышает производительность. Возможные значения: "2T", "3T".

DRAM Speculative Leadoff

DRAM опережающее чтение. При включении опции контроллер памяти может начать чтение до завершения полной расшифровки адреса. Процесс начинается с инициации процессором сигнала чтения одновременно с генерацией адреса. Включение "Speculative Leadoff" повышает производительность за счет уменьшения задержек, особенно при поддержке данной функции компонентами системы. Возможные значения: "Enabled" (разрешено), "Disabled" (по умолчанию, если функция не поддерживается системными компонентами). Альтернативные названия опции: "Speculative Leadoff", "SDRAM Speculative Read", "Speculative Lead Off".

DRAM Speed Selection

Опция устанавливает не реальную скорость DRAM-памяти, а время доступа к ней. Обычно рекомендуется оставлять значения по умолчанию, поскольку уменьшение времени доступа может повысить производительность, но также привести к нестабильности и потере данных. Если установлены модули с разной скоростью доступа, лучше выбрать значение, соответствующее самой медленной памяти. Возможные значения: "50 ns", "60 ns", "70 ns" и другие. Опция также может называться "EDO DRAM Speed Selection", "EDO DRAM Speed (ns)", "DRAM Speed".

DRAM Type

Опция определяет тип установленной памяти. Возможные значения: "Page Mode Std", "FPM", "EDO", "BEDO", "SDRAM".

EMS

Разрешение или запрет аппаратной поддержки процессором расширенной памяти (EMS - Expanded Memory Specification). Стандартные значения: "Disabled" и "Enabled". Эта опция предназначалась для систем с процессорами 286.

EMS Memory Base Address

Опция задает базовый адрес окна EMS в основной памяти. Возможные значения включают "C0000h", "C4000", и "E0000h". Это устаревшая опция.

EMS Page Reg I/O Base

Опция определяет базовый адрес портов ввода/вывода для отображения страниц EMS. Доступен ряд значений: "208h", "218h", "258h" и так далее до "2E8h". Устаревшая опция.

EMS Page(n) Addr Extension

Опция позволяет расширить объем отображаемой памяти для страницы n. Возможные значения: "0 to 2 Mb", "2 to 4 Mb" и так далее.

Fast MA to RAS# Delay

Опция определяет задержку между сигналами RAS и MA, схожую с функцией "RAS# to CAS# Delay". Она критична при пользовательских настройках, так как регулирует задержку между RAS-стробом и сигналом MA, указывающим на доступ к данным в памяти. Эта устаревшая опция поддерживала работу с FPM DRAM, и рекомендуется изменять ее только при замене чипов памяти или процессора. Стандартные значения: "Disabled" и "Enabled". Опция также может называться "Fast MA to RAS# Delay CLK", предлагая для выбора значения в системных тактах, аналогично "RAS# to CAS# Delay".

MA Wait State

Опция "MA Wait State" (такты ожидания чтения памяти) позволяет установить дополнительный такт ожидания перед началом чтения памяти. Для EDO-памяти один такт ожидания установлен по умолчанию, и значение "Slow" добавляет еще один такт. У SDRAM-памяти такого такта ожидания по умолчанию нет, и значение "Slow" вводит один дополнительный такт. Лучше не изменять значение по умолчанию, так как выбор "Fast" требует дополнительной проверки, особенно при появлении ошибок адресации. Опция принимает значения:
- "Slow" (по умолчанию) — добавляется один такт;
- "Fast" — без дополнительного такта ожидания.
Также известна как "MA Additional Wait State", с типичными значениями "Enabled" и "Disabled". В некоторых BIOS значения могут быть представлены как "0 ws" или "1 ws".

OS Select for DRAM > 64Mb

Опция "OS Select for DRAM > 64Mb" предназначена для указания операционной системы, установленной на ПК, так как методы управления памятью объемом более 64 МБ у IBM OS/2 отличаются от других ОС. Возможные значения: "OS/2" или "Non-OS/2". При установке "OS/2 Warp v3.0" и выше эти особенности можно игнорировать. Варианты названия включают "OS/2 Onboard Memory > 64MB" или "OS/2 Compatible Mode" с параметрами "Enabled" и "Disabled". В "AMI BIOS" аналог — "Boot To OS/2" с параметрами "Yes" и "No".

RAMW# Timing

Опция "RAMW# Timing" отвечает за длительность сигнала "Memory Write Enable" (MWE или WE), который запускает запись данных в память. Оптимизация параметра может повысить быстродействие, но требует осторожности. Варианты названия: "FPM/EDO RAMW# Timing" или "RAMW# Assertion Timing". Возможные значения: 2T, 3T, или "Normal" и "Fast". В некоторых BIOS встречается выбор между "Normal" и "Faster" (соответствующий одному системному такту).

RAS# Pulse Width

Опция "RAS# Pulse Width" устанавливает длительность активности сигнала RAS. Проверка этой настройки в разделе "Refresh" (например, опции "Refresh RAS# Assertion") полезна для увеличения стабильности системы. Старый вариант опции "RAS Minimum Active" предлагал значения от "4T" до "7T". Позднее появилась "RAS Active Time" (4T, 5T, 6T), и с развитием FPM DRAM возможные значения расширились до 3T, 4T, 5T, 6T. Вариант "EDO/SDRAM RAS# Pulse Width" предложил значения "5T/4T", "6T/5T", "7T/6T", "8T/7T".

RAS# to CAS# Delay

Опция "RAS# to CAS# Delay" регулирует временной сдвиг между сигналами RAS и CAS, необходимый для корректной адресации строк и столбцов в памяти. Выбор "Disabled" улучшает быстродействие, но снижает стабильность системы, в то время как "Enabled" делает её более устойчивой. В большинстве BIOS задержка настраивается в тактах (0T до 5T), а в некоторых версиях предлагаются такие значения как "Fast" и "Slow". Для SDRAM опция известна как "SDRAM RAS# to CAS# Delay" и может предлагать значения "Same as FPM" и "1T". Часто используется настройка "Auto".

Read-Around-Write

Опция включения ("Enabled") оптимизационных возможностей памяти. Эта функция позволяет, если операция чтения адресована к памяти, данные из которой еще находятся в промежуточном буфере после начала записи, считывать их не из DRAM, а напрямую из буфера. Данный буфер, "Read-Around-Write buffer", аккумулирует данные, которые затем записываются в память пакетом. Это кэширование повышает производительность системы, особенно в мультипроцессорных конфигурациях, где несколько процессоров могут обращаться к общим данным без прямого доступа к памяти. Опция может вызывать проблемы с некоторыми AGP-картами, например, на чипсете i740, и может быть несовместима с памятью DDR SDRAM на системах с чипсетом VIA KT266A. Опция также известна как "DRAM Read-Around-Write" или "Extended Read-Around-Write" и используется в серверных системах, например, на чипсетах i450GX и i450NX, с расширенным механизмом "read-around-write", где циклы записи могут пропускаться.

Read Prefetch Memory RD

Эта опция инициирует следующий цикл чтения чипсетом в режиме предвыборки данных, даже если текущий цикл чтения еще не завершен, оптимизируя доступ к памяти. Название RD означает "Ready Data".

SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS)

Этот параметр объединяет настройки "CAS Latency" и "RAS-to-CAS Delay", и его значение зависит от характеристик используемой SDRAM и частоты процессора. Доступные значения: "2/2", "3/3". Параметры могут принимать значения в 2 или 3 такта, и их необходимо изменять с осторожностью, так как они определяются архитектурой чипа и рассчитаны для определенной частоты.

SDRAM Configuration

Опция "SDRAM Configuration" позволяет настроить временные характеристики доступа к памяти. При значении "By SPD" BIOS определяет эти параметры на основании данных из SPD-модуля, при "Disabled" пользователь может настроить параметры вручную. Также можно задать фиксированные значения, например, "7 ns (143 Mhz)" и "8 ns (125 Mhz)".

SDRAM Precharge Control

Опция управления предварительным зарядом SDRAM-памяти. При значении "Disabled" предварительный заряд управляется командой "All Banks Precharge" от CPU, что улучшает стабильность, но снижает производительность. Включение этой опции ("Enabled") позволяет чипам SDRAM самостоятельно контролировать предварительный заряд, что снижает количество предзарядов и увеличивает число CPU-to-SDRAM циклов, что положительно сказывается на производительности, но может незначительно снизить стабильность.